Анализ кремния в сверхчистой деионизованной воде для производства полупроводников методом атомноабсорбционной спектрометрии с графитовым атомизатором
М. Любимов, A. Кимрова, И. Леонтьева
Технологические среды | 4/2013 (48) октябрь-декабрь
Присутствие в сверхчистой деионизованной воде для полупроводникового производства следов кремния может привести к массовому браку изделий, поэтому его остаточный уровень необходимо тщательно контролировать. Контроль содержания остаточного уровня кремния и всех его форм в сумме должен быть организован количественно. Причем методика определения должна позволять анализировать кремний на уровне очень низких концентраций - менее 1 мкг/л, быть доступной для автоматизации на уровне рутинных лабораторных процедур, воспроизводимой с точки зрения статистических расчетов, относительно быстрой для текущего мониторинга производства и относительно недорогой по себестоимости.
Подобным требованиям для использования в качестве аналитического приборного метода удовлетворяют масс-спектрометрия с индуктивно-связанной плазмой (ICP-MS) и атомно-абсорбционная спектрометрия с графитовым электротермическим атомизатором (GFAAS). С точки зрения требовани...
Если вы уже подписчик, войдите или зарегистрируйтесь