Современный взгляд на обеспечение чистоты в субмикронных производствах СБИС

      Успехи современной микроэлектроники, в первую очередь, связаны с прогрессивным продвижением в область «глубокого субмикрона» при разработке и организации массового выпуска сверхбольших интегральных схем (СБИС).

      Еще недавно считалось, что методы генерации и переноса изображения (являются определяющими при переходе на новые уровни технологии) имеют вполне естественные ограничения, связанные с обеспечением необходимого разрешения и прецизионности.

      Эти ограничения обусловлены наличием дифракционных явлений в проекционной оптической системе, возможностью перехода к малым длинам волн акти-ничного излучения, разработкой достаточно мощных и стабильных источников излучения, созданием высокопроизводительного литографического оборудования.

      Создание мощных и стабильных эксимерных лазеров (длины волн 248, 193 и 157 нм) и соответствующих проекционных высокоапертурных...